IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种高性能功率半导体器件，广泛应用于工业控制、电力变换、电动车辆等领域。
IGBT是由BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）的优点结合而成的一种功率开关器件。它具备了BJT的低导通压降和MOSFET的高输入阻抗，能够在高电压和高电流下稳定工作。
IGBT的工作原理是通过控制栅极电压来控制电流的流动和开关状态。当栅极电压为正时，导通状态，电流流经集电极和发射极。当栅极电压为负时，截止状态，电流无法流动。IGBT具有高开关速度、低开关损耗和良好的电压调制特性，被广泛应用于高频逆变、电源管理、交流电机控制等场合。
